Praecipuae notae cellularum solarium.

De notis fundamentalibuscellulae solaresverticitatem cellularum solarium, parametri cellularum solarium perficiendi, et notae voltammetriae electrici solaris gravidae tutelae environmentalis. 

1, verticitatem cellularum solarium

Silicon cellulae solaris plerumque fiunt ex P+/N speciei structurae vel N+/P structurae typo, P+ et N+, indicantes conductivum genus materiae semiconductoris in strato ante lucem cellae solaris; N et P repraesentant conductivum genus materiae semiconductoris in dorso cellae solaris. Proprietates electricae cellae solaris referuntur ad proprietates materiae semiconductoris adhibitae ad cellam faciendam.

2. euismod parametri cellularum solarium

In perficientur parametricellula solariscomponuntur ex ambitu patenti voltage, currente ambitu brevi, potentia output maximam, factorem et conversionem efficientiam implens. Hi parametri signum sunt ad mensurandum cellulas solares exercendas.

3 notae voltammetriae cellularum solarium

Coniunctio P-N cellula solaris constat ex commissura levi P-N in superficie formato, detractam et digitum ante contactum ohmicum conformatum, tactus ohmicus dorsum obtegens totam superficiem posteriorem, et stratum anti-reflexivum in fronte.

Cum altilium spectri solaris obnoxia est, photons cum viribus minus quam bandgap latitudinis Eg non confert ad output altilium. Photonae cum viribus maior quam bandgap (Eg) industriam (Eg) ad output altilium conferunt, et vires minores quam (Eg) ut calor consumuntur. In consilio igitur et processu fabricandi cellularum solarium, oportet considerare ictum huius caloris in stabilitatem et vitam pilae.